Modulatore di intensità Rof modulatore a film sottile di niobato di litio modulatore TFLN 40G

Breve descrizione:

Il materiale a film sottile di niobato di litio su isolante (LNOI) eredita le eccellenti proprietà elettro-ottiche dei materiali a base di niobato di litio massivo, offrendo una nuova soluzione per chip modulatori elettro-ottici ad alta velocità che possono essere integrati, miniaturizzati e presentano un'elevata efficienza di modulazione. Abbiamo sviluppato un modulatore elettro-ottico a film sottile di LiNbO3 a banda larga e bassa tensione di semionda basato sul materiale LNOI. Il nostro prodotto presenta eccellenti caratteristiche di elevata stabilità, bassa perdita di inserzione e dimensioni ridotte, che lo rendono più vantaggioso rispetto ai tradizionali modulatori a base di niobato di litio massivo, e ha ampie prospettive di applicazione nei settori delle comunicazioni ottiche ad alta velocità e della fotonica a microonde.

Inviaci un'e-mail SCARICAMENTO

Dettagli del prodotto

Rofea Optoelectronics offre prodotti per l'ottica e la fotonica, tra cui modulatori elettro-ottici.

Etichette prodotto

Caratteristica

Larghezza di banda elevata, basse perdite, bassa tensione di pilotaggio, dimensioni ridotte, elevata stabilità

Campo

Comunicazione ottica ad alta velocità, fotonica a microonde, radar, ecc.

Modulatore di intensità Rof EOM 20G modulatore a film sottile di niobato di litio modulatore TFLN

Parametro

Parametro	Sym	indicatore	Unità
lunghezza d'onda di lavoro	λ	1530~1565	nm
Perdita di inserzione ottica	IL	≤ 5,5 (Tipico 4,5)	dB
rapporto di estinzione	ER	≥ 25	dB
perdita di ritorno ottico	RL	≤ -30	dB
potenza ottica massima in ingresso	P_in	≤ 200	mW
Larghezza di banda della modulazione elettro-ottica (3 dB, da 2 GHz)	BW	≥ 40	GHz
Tensione a semionda RF a 50 kHz	Vπ	≤ 3,5	V
riflessione RF	S₁₁	≤ -10	dB
Potenza massima di ingresso RF	S_in	≤ 25	dBm
potenza a semionda di polarizzazione termica	Pπ	50	mW
tensione di polarizzazione termica	U_stufa	< 8	V
Temperatura di esercizio	T_O	-55~85	°C
Temperatura di conservazione	T_S	-55~85	°C

Informazioni sull'ordine

Sym	Ddescrizione	Parametro opzionale
λ	lunghezza d'onda di lavoro	C (~1550 nm)ItalianoO (~1310 nm)
BW	Larghezza di banda a 3 dB	40 (40 GHz)
PD	Monitoraggio della malattia di Parkinson	1 (integrato), 0 (non integrato)
IF	Fibra ottica di ingresso	P (fibra a mantenimento di polarizzazione)
OF	Fibra ottica in uscita	P (fibra a mantenimento di polarizzazione), S (fibra monomodale standard)
S	tensione di mezza onda	Standard S

Definizione delle dimensioni e del pin del pacchetto

Pin definizione:

Stitch	Funzione
RF	Ingresso RF, connettore femmina da 1,85 mm
A	Elettrodo di polarizzazione termostatica (positivo e negativo)
B	elettrodo di polarizzazione termostatica
C	elettrodo di polarizzazione per regolazione termica di riserva
D	elettrodo di polarizzazione per regolazione termica di riserva

Precedente: Modulatore di fase elettro-ottico ad alta velocità da 2 µm con raggio d'azione di 2000 nm.

Prossimo: ROF Si fotodetettore a guadagno regolabile Fotodetettore al silicio

Rofea Optoelectronics offre una linea di prodotti che comprende modulatori elettro-ottici commerciali, modulatori di fase, modulatori di intensità, fotorivelatori, sorgenti luminose laser, laser DFB, amplificatori ottici, EDFA, laser SLD, modulazione QPSK, laser a impulsi, fotorivelatori, fotorivelatori bilanciati, driver laser, amplificatori a fibra ottica, misuratori di potenza ottica, laser a banda larga, laser sintonizzabili, rivelatori ottici, driver per diodi laser e amplificatori a fibra. Forniamo inoltre numerosi modulatori speciali personalizzabili, come modulatori di fase array 1*4, modulatori a Vpi ultra-basso e modulatori con rapporto di estinzione ultra-alto, utilizzati principalmente in università e istituti.
Ci auguriamo che i nostri prodotti vi siano utili per la vostra ricerca.

Prodotti correlati