Modulatore di intensità Rof EOM 1550nm Modulatore di niobato di litio a film sottile 2.5G
Caratteristica
* Bassa perdita di inserzione
* Larghezza di banda elevata
* Bassa tensione a semionda
*Opzione di personalizzazione
Applicazione
⚫ Sistemi ROF
⚫ Distribuzione delle chiavi quantistiche
⚫ Sistemi di rilevamento laser
⚫ Modulazione in banda laterale
Lunghezza d'onda
⚫750nm
⚫850nm
⚫ 1064 nm
⚫ 1310 nm
⚫ 1550 nm
Larghezza di banda
⚫ 10GHz
⚫20GHz
⚫40GHz
⚫50GHz
R-AM-15-2.5G
| Parametro | Simbolo | minimo | Tip | Massimo | Unità | ||||
| Parametri ottici | |||||||||
| Operativolunghezza d'onda | l | 1530 | 1550 | 1565 | nm | ||||
| Perdita di inserzione | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| Perdita di ritorno ottico | ORL | -45 | dB | ||||||
| Cambia il rapporto di estinzione @DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
| Rapporto di estinzione dinamica | DER | 13 | dB | ||||||
| Fibra ottica | Ingressoporta | Panda PM Fujikura SM | |||||||
| produzioneporta | Panda PM Fujikura SM | ||||||||
| Interfaccia in fibra ottica | FC/PC、FC/APC Oppure utente da specificare | ||||||||
| Parametri elettrici | |||||||||
| Operativolarghezza di banda（-3dB） | S21 | 2.5 | 3 | GHz | |||||
| Tensione a semionda Vpi | RF | @50KHz |
| 4.5 | 5 | V | |||
| Bes | @Pregiudizio |
| 6 | 7 | V | ||||
| Elettricoalperdita di rendimento | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| Impedenza di ingresso | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| Pregiudizio | ZPREGIUDIZIO | 1M | W | ||||||
| Interfaccia elettrica | SMA(f) | ||||||||
Condizioni limite
| Parametro | Simbolo | Unità | minimo | Tip | Massimo |
| Potenza ottica in ingresso | Pdentro, massimo | dBm | 20 | ||
| IPotenza RF in ingresso | dBm | 28 | |||
| tensione di polarizzazione | Bias | V | -15 | 15 | |
| Operativotemperatura | Superiore | ℃ | -10 | 60 | |
| Temperatura di conservazione | Tst | ℃ | -40 | 85 | |
| Umidità | RH | % | 5 | 90 |
Curva S21
&S11 Curva
Curve S21 e S11
Diagramma meccanico
| PORTA | Simbolo | Nota |
| In | Oporta di ingresso ottica | Fibra PM (125μm/250μm) |
| Fuori | Oporta di uscita ottica | PM Fibra(125μm/250μm) |
| RF | RPorta di ingresso F | SMA(f)/ K(f) / V(f) |
| Pregiudizio | Porta di controllo bias | 1,2 Pregiudizio, 3Catodo -PD, anodo 4-PD |
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