Modulatore Rof EOM 40 GHz Modulatore di fase a film sottile al niobato di litio
Caratteristica
■ Larghezza di banda RF fino a 40 GHz
■ Tensione di semionda bassa fino a 3 V
■ Perdita di inserzione pari a soli 4,5 dB
■ Dimensioni ridotte del dispositivo
Parametro
| Categoria | Discussione | Sym | Uni | Aointer | |
|
Prestazioni ottiche (@25°C)
| Lunghezza d'onda operativa (*) | λ | nm | ~1550 | |
| perdita di ritorno ottico
| ORL | dB | ≤ -27 | ||
| Perdita di inserzione ottica (*) | IL | dB | MAX：5.5 Tipico: 4,5 | ||
| Proprietà elettriche (@25°C)
| Larghezza di banda elettro-ottica di 3 dB (da 2 GHz) | S21 | GHz | X1: 2 | X1: 4 |
| MIN:18 Tipo: 20 | MIN:36 Tipo: 40 | ||||
| Tensione a semionda RF (@50 kHz)
| Vπ | V | MAX：3.5 Tipo: 3.0 | ||
| Perdita di ritorno RF (da 2 GHz a 40 GHz)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
| Condizioni di lavoro
| Temperatura di esercizio | TO | °C | -20~70 | |
* personalizzabile
Soglia di danno
| Discussione | Sym | Selezionabile | MIN | MAX | Uni |
| potenza di ingresso RF | Peccato | X2: 4 | - | 18 | dBm |
| X2: 5 | - | 29 | |||
| tensione di oscillazione in ingresso RF | Vpp | X2: 4 | -2,5 | +2,5 | V |
| X2: 5 | -8,9 | +8,9 | |||
| Tensione RMS di ingresso RF | Vrms | X2: 4 | - | 1,78 | V |
| X2: 5 | - | 6.30 | |||
| Temperatura di conservazione | Spillo | - | - | 20 | dBm |
| Potenza di ingresso ottica | Ts | - | -40 | 85 | °C |
| Umidità relativa (senza condensa) | RH | - | 5 | 90 | % |
Se il dispositivo supera la soglia massima di danno, si verificheranno danni irreversibili e questo tipo di danno non è coperto dal servizio di manutenzione.
Campione di prova S21 (valore tipico a 40 GHz)
S21&S11
Informazioni sull'ordine
Modulatore di fase a film sottile di niobato di litio da 20 GHz/40 GHz
| selezionabile | Descrizione | selezionabile |
| X1 | larghezza di banda elettro-ottica di 3 dB | 2 o 4 |
| X2 | Potenza massima di ingresso RF | 4 o 5
|
Chi siamo
Rofea Optoelectronics offre una gamma di prodotti commerciali tra cui modulatori elettro-ottici, modulatori di fase, fotorivelatori, sorgenti laser, laser DFB, amplificatori ottici, EDFA, laser SLD, modulazione QPSK, laser pulsati, fotorivelatori, fotorivelatori bilanciati, laser a semiconduttore, driver laser, accoppiatori a fibra, laser pulsati, amplificatori a fibra, misuratori di potenza ottica, laser a banda larga, laser sintonizzabili, linee di ritardo ottico, modulatori elettro-ottici, rivelatori ottici, driver per diodi laser, amplificatori a fibra, amplificatori a fibra drogata con erbio e sorgenti luminose laser.
Il modulatore di fase in LiNbO3 è ampiamente utilizzato nei sistemi di comunicazione ottica ad alta velocità, nei sensori laser e nei sistemi ROF grazie al suo ottimo effetto elettro-ottico. La serie R-PM, basata sulla tecnologia di diffusione del titanio e APE, presenta caratteristiche fisico-chimiche stabili, in grado di soddisfare i requisiti della maggior parte delle applicazioni in esperimenti di laboratorio e sistemi industriali.
Rofea Optoelectronics offre una linea di prodotti che comprende modulatori elettro-ottici commerciali, modulatori di fase, modulatori di intensità, fotorivelatori, sorgenti luminose laser, laser DFB, amplificatori ottici, EDFA, laser SLD, modulazione QPSK, laser a impulsi, fotorivelatori, fotorivelatori bilanciati, driver laser, amplificatori a fibra ottica, misuratori di potenza ottica, laser a banda larga, laser sintonizzabili, rivelatori ottici, driver per diodi laser e amplificatori a fibra. Forniamo inoltre numerosi modulatori speciali personalizzabili, come modulatori di fase array 1*4, modulatori a Vpi ultra-basso e modulatori con rapporto di estinzione ultra-alto, utilizzati principalmente in università e istituti.
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